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Caractéristique U-I d’une diode
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**Objectif**

Tracer la caractéristique U-I d’une diode et comparer les résultats avec
la théorie.

**Procédure**

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-  Faire les connexions
-  Cliquer sur DÉMARRER pour tracer la courbe caractéristique.
-  Analyser les données
-  Tracer les courbes U-I de DELs

**Discussion**

La caractéristique U-I d’une jonction PN idéale est donnée par
l’équation
:math:`I = I_0 \times e^{(qU/kT) − 1}`, où
:math:`I_0` est le courant de saturation inverse, :math:`q` la charge de
l’électron, :math:`k` la constante de Boltzmann, :math:`T` la température en Kelvin.
Pour une diode réelle, non-idéale, l’équation est
:math:`I = I_0 \times e^{(qU/nkT) − 1}`, où :math:`n`
est le facteur d’idéalité, qui vaut 1 pour une diode idéale. Pour des
diodes réelles il varie entre 1 et 2. On a utilisé une diode au silicium
1N4148. La valeur de *n* pour 1N4148 est proche de 2. On a calculé la
valeur de :math:`n` en modélisant les valeurs expérimentales par l’équation.

La tension à laquelle une DEL commence à émettre de la lumière dépend de
sa longueur d’onde et de la constante de Planck. L’énergie d’un photon
est donnée par :math:`E = h\nu  = hc/\lambda`. Cette énergie est égale au
travail d’un électron qui franchit un seuil de potentiel, qui est donné
par :math:`E = eU_0`. Donc la constante de Planck est
:math:`h = eU_0 \times \lambda / c`, où :math:`\lambda` est la longueur d’onde de la
DEL, :math:`e` la charge de l’électron et :math:`c` la vitesse de la lumière.

Recommencer cette expérience en chauffant la diode à différentes
températures.

